Information om | Tyska ordet FREMDATOMEN

Exempel på hur man kan använda FREMDATOMEN i en mening

• Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial, Dotierung genannt.
• Bei Halbleitern lässt sich die Stärke des Effekts zudem leicht über die Orientierung des Einkristalls, das heißt, in welcher Richtung der Strom das Bauelement durchfließt, und der Dotierung mit Fremdatomen beeinflussen.
• Die Eigenschaften eines PZT-Werkstoffes lassen sich zusätzlich durch den Einbau von Fremdatomen (Dotierung) modifizieren.
• Bekannte Beispiele für eine gezielte Nutzung von Fremdatomen für technische Anwendungen sind die Änderungen der elektrischen Eigenschaften von Halbleiterkristallen, also die Dotierung, oder die Veredelung von Metallen beim Legieren.
• Bei Zimmertemperatur (300 K) wird der spezifische Widerstand vorwiegend durch Stöße mit Gitterphononen verursacht, nahe beim absoluten Temperaturnullpunkt (4 K) sind Stöße mit Fremdatomen und mechanischen Gitterfehlern relevanter.
• Das Einbringen von Fremdatomen in einen Halbleiterkristall (Dotierung) verursacht die Ausbildung von sogenannten Störstellenniveaus im Bereich der Energielücke, das heißt, in dem Energiebereich zwischen dem Valenz- und Leitungsband, der im undotierten Halbleiter aus quantenmechanischen Gründen nicht durch Elektronen besetzt werden konnte.
• Neben Fremdatomen mit einer unterschiedlichen Zahl an Außenelektronen können auch Fremdatome mit gleicher Anzahl von Außenelektronen wie das Atom, das sie ersetzen, in einen Halbleiter eingebracht werden.
• Durch die Nutzung schwererer Ionen wie Bor oder Arsen kann die Ionenstrahllithografie auch für die maskenlose (keine strukturierte Schicht auf dem Wafer) Ionenimplantation, beispielsweise für die lokale Dotierung des Wafers mit Fremdatomen, eingesetzt werden.

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